С "грядки"
15.07.2016
Компании IBM и Samsung объявили о создании технологического процесса производства энергонезависимой памяти, которая работает в 100 тыс. раз быстрее флеш-памяти NAND и имеет практически неограниченный ресурс циклов чтения и записи. IBM и Samsung совместными усилиями разрабатывают магниторезистивную (MRAM) память следующего поколения с использованием технологии STT (spin-transfer torque), что позволит создавать более эффективные микросхемы памяти небольшой емкости для датчиков Интернета вещей, носимых устройств и мобильной техники, где в настоящее время для хранения данных используется флеш-память NAND. Двум компаниям впервые удалось уменьшить норму проектирования до 11 нанометров при длительности импульса в 10 наносекунд и силе тока, не превышающей 7,5 микроампер, что, по свидетельству разработчиков, является «значительным достижением». Если флеш-памяти NAND для записи данных требуется одна миллисекунда, то у MRAM эта процедура занимает всего 10 наносекунд. Таким образом, память MRAM в 100 тыс. раз превосходит NAND по скорости записи и в 10 раз по скорости чтения. В обозримом будущем память STT MRAM вряд ли придет на смену микросхемам DRAM, но встроенную флеш-память она вполне способна потеснить, поскольку MRAM быстрее, легче интегрируется и обладает практически неограниченным ресурсом циклов чтения и записи.
Московский физико-технический институт (МФТИ) и компания «Крокус НаноЭлектроника» (КНЭ) сообщили о начале совместной исследовательской программы по разработке и апробации технологии производства магниторезистивной памяти STT-MRAM.
Память MRAM хранит информацию при помощи магнитных моментов. Технология STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory), в свою очередь, использует «перенос спина» для перезаписи ячеек памяти. Применение этого эффекта в традиционной магниторезистивной памяти позволяет уменьшить величину тока, необходимую для записи информации в ячейку, а также использовать техпроцесс с нормами от 90 до 22 нанометров и меньше.
Сообщается, что МФТИ и КНЭ направят свои усилия на разработку новых материалов, дизайн микрочипов, а также разработку методов их контроля и моделирования. Выпуск памяти STT-MRAM планируется организовать на мощностях КНЭ: технологическая площадка этой компании позволяет производить продукцию на основе магнитных туннельных структур по топологической норме до 90/65 нанометров на пластинах диаметром 300 мм.